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二维范德华（vdW）材料具有高载流子迁移率和可调控性，使其适用于低功耗、高性能的电子和自旋电子器件应用。引入窄带电子关联效应可进一步增强调控能力，但质量重整化可能影响载流子迁移率。因此，兼具高迁移率和强关联特性的vdW材料仍面临挑战。本研究通过光谱学和高场量子振荡测量相结合，发现CeTe3在低温下存在显著的有效质量增强效应，这不仅源于反铁磁有序引起的能带结构调制，还归因于窄带关联效应。尽管存在质量增强，量子迁移率却意外提升至约2403 cm²/Vs，可能受益于拓扑保护机制。值得注意的是，这些独特性质在原子级薄纳米片中得以保持，且量子迁移率进一步提升至约3158 cm²/Vs。这表明CeTe3成为一种兼具高迁移率重准粒子的vdW反铁磁金属，有望为新型器件设计开辟道路。