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六方氮化硼（hBN）中带负电的硼空位（VB⁻）因其光学可及性、结构简单性和与光子平台的兼容性，正成为极具前景的固态自旋量子比特。然而，薄层hBN中此类缺陷密度的量化始终存在挑战，制约着器件集成与工艺重现性的发展。该研究团队提出了一种全光学定量方法，通过拉曼光谱与光致发光（PL）特征同辐照通量的关联效应，实现了hBN中VB⁻缺陷密度的准确定量。研究人员发现两个缺陷诱导的拉曼模式D1和D2，并通过偏振分辨拉曼测量和密度泛函理论（DFT）计算，将其归属为VB⁻的振动模式。该工作借鉴石墨烯数值模型，建立了拉曼（D1、E2g）与PL强度同绝对缺陷密度之间的经验关系。该方法适用于多种辐照类型，尤其能解决传统技术无法检测薄层材料的难题。该技术可实现低至10¹⁵缺陷数/立方厘米的自旋缺陷密度精准、直接、无损定量，为量子光学应用中的hBN材料优化与性能评价提供了有力工具。