在该工作中，研究人员探究了稀疏量子态制备过程中电路深度与辅助量子比特数量之间的权衡关系。研究证明：任何n量子比特的d稀疏量子态（即仅含d个非零振幅）可通过深度为O(n d log(m)/m + log(n d))的量子电路制备，其中辅助量子比特数量m≥6n——该成果实现了当前深度与辅助比特数的最佳权衡。特别地，当m=Θ(n d/log d)时，该工作重现了[物理评论快报,129卷,230504(2022)]中给出的最优电路深度Θ(log(n d))，但使用了更少的量子门和辅助量子比特。
