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InSb纳米薄片为量子传输研究提供了独特平台，近期已被应用于混合平面约瑟夫森结研究。由于其半导体表面未被覆盖，该材料也成为表面探测技术的理想选择。本研究首次报道了基于Nb电极接触的InSb纳米薄片约瑟夫森结的扫描门显微（SGM）实验成果。在常规状态下，研究人员观察到SGM带电探针引起的显著电导调制现象；在超导状态下，该团队实现了扫描门显微技术对超导弱连接的首次应用，证实了在微观层面调控半导体-超导体异质结超电流流动的可能性。实验数据与理论预测相符，为超导弱连接行为研究开辟了新途径，向着实现超电流流动的局部成像迈出关键一步。