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该研究团队探索了特定量子电路中纠缠动力学发生的粗糙化相变。通过将纠缠视为电路定义随机环境中薄膜的自由能，观察到晶格钉扎导致的薄膜平滑化与电路无序性导致的粗糙化之间的竞争。具体而言，研究人员通过计算不同二分系统的纠缠熵，研究了（3+1）维Clifford电路模型中无序诱导的纠缠薄膜粗糙化转变。该工作进一步构建了偏离晶格平面薄膜的标度理论，揭示了新的标度形式及向先前未被探索的临界“倾斜区域”的跨域现象。