阐明介电损耗、结构异质性和界面缺陷对于提高超导量子比特的相干性至关重要。然而，现有诊断技术主要依赖破坏性电子显微镜或低通量的毫开量子测量。该研究团队通过对封装铌传输量子比特进行非侵入式太赫兹（THz）纳米成像/光谱分析，揭示了与量子比特相干性相关的侧壁近场散射现象。研究人员进一步采用太赫兹高光谱线扫描技术，探究了铝结界面处的介电响应与场参与度。这些发现突显了太赫兹近场方法作为高通量替代表征工具的潜力，可指导材料选择并优化工艺流程，从而提升量子比特及量子电路性能。
