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超导量子电路依赖于强驱动来实现快速门操作、高保真度读出和状态稳定。然而，这些驱动会诱发不受控的激发（即所谓的“电离”现象），进而损害这些操作的保真度。虽然该现象在量子比特读出环节已得到充分表征，但其在更广泛的参量控制场景中的普遍限制仍不明确。本研究表明，以transmon为典型的非线性耦合器在强参量驱动下会发生电离，导致相干控制失效，从而限制可实现的门操作速度。通过实验和数值模拟，该团队将这种行为与驱动诱导的混沌动力学联系起来，并利用瞬时Floquet谱进行定量表征。研究结果揭示：Floquet谱为理解超导量子电路中各类强驱动操作的限制提供了统一框架。这一发现确立了参量控制的基本限制，并为下一代“量子处理器”中缓解驱动诱导退相干的设计原则提供了理论依据。