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分子磁光囚禁技术迄今仅适用于具有Σ²电子基态的分子。该类分子具有化学反应活性，且仅支持从第一激发转动态开始的简单激光冷却方案。本研究首次实现了氟化铝（AlF）分子的磁光囚禁（MOT）——这种具有Σ⁺¹电子基态的双原子分子兼具深度束缚特性和本征稳定性。该磁光阱基于227.5纳米附近的强A¹Π←X¹Σ⁺跃迁，其所有Q(J)谱线均为旋转封闭结构。实验数据显示：当AlF分子处于J=1能级时，该团队成功囚禁约6×10⁴个分子；在J=2和J=3能级时，囚禁分子数量超过10⁴个；且该技术对更高转动态分子囚禁不存在理论限制。AlF的激光冷却与囚禁概念类似于将碱土金属原子引入冷原子物理研究，其重要意义在于利用X¹Σ⁺→a³Π自旋禁戒跃迁实现精密光谱测量和窄线宽冷却。