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固体中的量子缺陷已成为推动量子技术发展的革命性平台。实现高保真度的单自旋读取——尤其在室温下实现量子生物传感应用——是该技术发展的关键要求。该研究工作通过4H碳化硅中一种主要量子缺陷的从头算模拟证明，应变可作为显著提升读取对比度的有效调控参数。研究人员在绝缘体上碳化硅薄膜中引入局部应变进行实验验证，在保持单自旋优良相干特性的同时，实现了超过60%的读取对比度。该成果确立了应变工程作为优化固态量子系统中自旋-光子相干界面的通用强力策略。