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飞秒激光刻蚀技术在制造领域展现出独特的能力，包括三维、多材料以及亚衍射极限的图案化。特别是，利用激光刻蚀技术制备的具有优异光学性能的量子发射器和光子器件已引起广泛关注。最近，有报道称氮化镓（GaN）在紫外到通信波段范围内具有窄而明亮的零声子光致发光特性，可作为量子发射器的载体。然而，外延过程中形成的发射器位置随机，迄今为止，尚未能在有序阵列中制备量子发射器。本文中，研究团队采用飞秒激光刻蚀技术，在亚衍射极限直径范围内创建纳米刻蚀结构，并通过快速热退火激活共位的稳定发射器。这些发射器在室温下表现出MHz级的反聚束发射，并具有尖锐的光谱峰。该工作不仅展示了一种在GaN上进行激光刻蚀纳米制造的高效方法，还为在GaN中确定性创建量子发射器提供了一条有前景的途径，揭示了相关的潜在机制。