量子科技中心_量科网

金刚石中的带负电硅空位（SiV）中心是固态量子存储器的领先候选者，可以通过电磁波或声波进行控制。由于SiV对应变的强响应性，声波控制尤其具有前景，能够实现较大的自旋-声子相互作用强度。事实上，通过表面声波（SAW）实现相干自旋控制已被证明，这对于开发片上声子量子网络至关重要。然而，金刚石缺乏压电性，因此需要与压电材料结合，以实现高效的声波转换并将其传递到金刚石中的自旋。该研究团队展示了一种异质集成的声子平台，将薄膜铌酸锂（TFLN）与金刚石结合，实现了对单个SiV自旋的声学控制。此外，通过利用SiV位置处由SAW诱导的大应变，该团队实现了对电子自旋的相干声学控制，其拉比频率比基于氮化铝-金刚石的最先进器件提高了两倍以上。该工作为实现基于声子的量子信息处理系统迈出了关键一步。