量子科技中心_量科网

研究团队利用μ子自旋旋转/弛豫/共振（μSR）技术，研究了五氧化二铌（Nb₂O₅）和五氧化二钽（Ta₂O₅）薄膜的磁学性质。在非晶态（溅射沉积）下，这两种氧化物在低至2.8 K时均表现出磁性行为。然而，磁响应强烈依赖于结构：热氧化多晶Ta₂O₅显示出被抑制的磁性，而非晶态Ta₂O₅则表现出局域静态磁性。相比之下，非晶态Nb₂O₅的磁性无序程度显著更高。这些结果表明，Ta和Nb原生氧化物中的磁不均匀性可能是超导器件性能的关键因素，特别是限制了量子比特和谐振器的T1时间。