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该研究团队在由同位素纯化的Si/Si-Ge制成的自旋量子比特器件中研究了低频噪声。通过观察不同量子比特能量波动之间的显著互相关性，研究人员得出结论，这些波动主要由电荷噪声主导。在低频段，噪声谱并不完全符合幂律分布；相反，研究团队识别出了一些独立的两能级波动器（TLFs）。该工作表明，噪声的互相关性可以提供关于这些独立TLFs空间位置的信息。