近日，北京量子信息科学研究院（以下简称“量子院”）量子接口器件与系统团队联合清华大学、芬兰Aalto大学等单位，提出并实现了辐射压力型的耗散声-机械耦合方案，让GHz的高次谐波体声波谐振器（HBAR）与亚MHz氮化硅（SiN）薄膜的弯曲声子发生耗散参量相互作用，在室温下进入边带可分辨区间，并观测到声机械诱导透明、放大与相干声学频率梳。2026年10月7日，相关成果以“高泛音声学与弯曲声子之间的耗散声-力参量接口”（Dissipative Acousto-Mechanical Parametric Interface between High-Overtone Acoustics and Flexural Phonons）为题发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters），并入选编辑推荐（Editors’ Suggestion）。

GHz频段的HBAR频率—品质因子（f×Q）乘积极高，可与超导量子比特实现单声子级强耦合；二维悬空氮化硅薄膜振子损耗极低，工作在亚MHz频段，可与光学频段的谐振腔光力耦合，边带冷却到基态并且具备极长的相干时间。不同频段的声学体系各有优势，在不同量子计算单元的结合与应用中各自扮演着重要角色。然而，如何在不同频段的声子之间建立高效参量耦合（两者能量相差数个数量级），是长期困扰学界的难题。

研究团队采用倒装芯片混合集成架构（图1）：HBAR制备于250 μm厚的蓝宝石衬底上，机械振子为50 nm低损耗SiN薄膜，其悬空窗口镀有铝层并延伸至HBAR耦合端口。薄膜的面外位移由此调制HBAR的外耗散率，实现“位移调制耗散”的类光力耦合，绕开了集成电机械系统中难以获得大耗散耦合的瓶颈。

得益于两类模式的高品质因子，系统在室温真空下即进入边带可辨区间，室温表征结果：2.5–4 GHz内呈现密集的高阶纵声模式，自由谱程21.37 MHz，其中2.7454 GHz模式品质因子约 1.89×10⁴；SiN薄膜基频弯曲模式为571.5 kHz，弛豫时间长达36.7 ms，本征阻尼率8.68 Hz。

团队用红失谐泵浦配合弱探针观测到声机械诱导透明（AMIT）：窗口随功率展宽，呈现不对称、峰值高于背景基线等耗散耦合特征。功率升至11 dBm 时拟合给出有效耗散耦合强度达到色散耦合的20倍，为已报道此类混合系统中的最高比值；同时在红边带的高功率驱动下反射谱出现放大，这是纯色散耦合系统中无法观测到的现象（图2）。

利用强驱动下产生的有效克尔非线性，以“谐振驱动+红边带泵浦”双音方案，在15 dBm下产生了齿距等于机械频率的相干声学频率梳；1.75 μs的时域周期与稳定的李萨如轨道，验证了梳齿的长程相位相干性（图3）。

该器件室温下即可运行，可作为低温超导电机械系统在精密测量与传感中的替代方案；其低温兼容性又使其有望进入量子区域，用于机械振子的宏观量子态制备、量子态存储与跨模声子转移，为可扩展的多模声子信息处理提供片上平台。