2026年6月14日——以色列创新局与国防部国防研究发展局（DDR&D/MAFAT）合作，发起一项新的项目征集，旨在建立或提供集成光子学领域先进研发基础设施。该计划投资额高达1.5亿新谢克尔，旨在加速以色列下一代光子芯片的开发，同时扩大工业界和学术界对先进研发基础设施的获取范围。

入选的基础设施将使公司、研究人员和研究机构能够完成从设计与仿真，到原型开发、表征、测试、封装，再到支持在以色列及海外实现批量生产的完整开发流程。该计划预计将巩固以色列在全球半导体行业增长最快、最具战略性的领域之一的地位。

以色列创新局首席执行官德罗尔·宾（Dror Bin）表示：“未来几年，集成光子学有望成为半导体行业的核心技术之一。以色列在研究、开发和人力资本方面拥有显著优势，但要保持领先地位，还需要能够将知识转化为产品和成长型公司的先进基础设施。新基础设施将有助于缩短从开发到产品的路径，减少技术障碍，并加速突破性技术的商业化。”

以色列国防部国防研究发展局（MAFAT）负责人丹尼尔·戈尔德准将（预备役）博士表示：“集成光子学为开发适用于广泛领域的高性能先进系统开辟了新的可能性。此次合作旨在加强以色列在该领域的技术能力，扩展现有的知识库和基础设施，并建立一项能够长期服务于研究、工业和国防需求的国家能力。”

此次项目征集面向工业企业或企业集团，并涵盖科学、技术、管理和商业方面的考量。申请人需提交技术计划、商业计划、合作框架、可持续运营模式，以及使基础设施可供工业界和学术界各类用户使用的方案。

入选的基础设施需满足高工业标准，包括快速周转时间、常规运行频率、服务可用性，以及支持多种材料和器件的集成。建设期不得超过18个月，并且在获批后的12个月内，即使尚未完全建成，基础设施也需开始提供部分研发服务。

该计划将通过以色列创新局的研发基础设施基金实施。入选的基础设施将提供包括设计、仿真、原型开发、表征、测试、封装，以及支持在以色列或海外实现批量生产在内的全面服务。该基础设施将获得为期三年的建设、部署和可访问性拨款，金额为批准预算的55%或66%。在此期间结束后，基础设施将作为一家盈利性研发服务公司运营。

该计划旨在解决以色列深度科技行业面临的核心挑战之一：先进研究和设计能力与后期开发阶段有限的制造、集成、测试和验证基础设施之间的差距。其基本假设是，该领域可获取的国家级基础设施将使初创企业、成长型公司、工业企业及研究机构能够缩短开发周期、降低技术风险，并加速从概念验证到商业化产品的转化。

集成光子学是一种将激光器、波导、调制器和探测器等多种光学元件集成到单个芯片上的技术。这种集成使得开发快速、紧凑、节能且可靠的系统成为可能，在先进通信、数据中心、传感、信息处理、国防系统以及半导体行业制造设备等领域具有广泛的应用潜力。

这项计划是加强以色列创新基础设施、巩固其在知识密集型和基础设施密集型领域竞争优势的重要一步。在此背景下，为工业界和学术界提供开放、可获取的研发基础设施，是加速创新、降低准入门槛、扩展本地知识和能力的关键工具。