2026年2月11日——在快速发展的二维材料领域，微小的扭转可能引发巨大效应。自从发现原子级薄晶体间的旋转错位能重塑其电子行为后，莫尔条纹工程已成为量子物质设计的重要原理。

《自然·纳米技术》最新研究显示，磁性同样能突破传统认知：在扭转的反铁磁层中，自旋序不仅限于莫尔晶胞，还能扩展成跨越数百纳米的超大拓扑结构。大多数莫尔现象直接从晶格干涉图案继承其特征长度尺度，因此学界曾假定堆叠范德瓦尔斯磁体的磁序遵循相同规律。这项新研究颠覆了该假设。

通过扫描氮空位磁强计研究扭转双层三碘化铬（CrI₃）时，研究人员以纳米级分辨率直接成像磁场，观察到远超单个莫尔晶胞（达约300纳米）的长程结构，其尺度是底层波长的十倍。这一现象有违直觉：当扭转角减小时，莫尔波长增大，但观测到的磁结构尺寸却反向变化，在1.1°附近达到峰值后于约2°时消失。

这种逆转表明磁性并非简单遵循莫尔图案模板，而是源于交换作用、磁各向异性和Dzyaloshinskii-Moriya相互作用之间的集体竞争——这些因素均被层间相对旋转微妙调控。大规模自旋动力学模拟证实该机制，揭示了跨越多个莫尔晶胞的扩展型Néel反铁磁斯格明子的稳定性。

该发现对基础磁学具有深远意义。斯格明子结构因具备紧凑性、拓扑保护性和低能耗可移动性，在信息技术领域极具吸引力。仅通过扭转（无需光刻、重金属或强电流）即可生成这种结构，为低功耗自旋电子器件提供了基于几何的洁净制备路径。

这项研究通过提出“超莫尔自旋序”概念，将扭转工程重构为多尺度工具：原子排列引发介观拓扑。这挑战了“莫尔物理仅具局域性”的主流观点，确立扭转角作为调控交换作用、各向异性和手性相互作用以稳定拓扑相的热力学控制参数。

从应用角度看，这种大尺寸、高稳定性的Néel型斯格明子结构适合器件集成：其介观尺度提升可检测性与可寻址性，拓扑保护特性与绝缘主体材料则有望实现超低耗散运行。随着研究人员持续探索几何结构与量子相互作用的丰富关联，这类涌现行为或将成为后CMOS时代高效能计算平台研发的核心。

爱丁堡大学理论/计算凝聚态物理高级讲师埃尔顿·桑托斯博士（该项目建模负责人）表示：“该发现证明扭转不仅是电子调控旋钮，更是磁性调控开关。我们观察到自旋序在远超莫尔晶格的尺度上自组织，这为仅通过控制角度设计拓扑磁态开辟了新途径——这种看似简单的调控手段将产生深远的实际影响。”